简要描述:细胞损伤仪(CellInjuryControllerII)采取电子式控制,适合脑源性细胞培养样品,或其它离体培养细胞的牵张性(strain-inducedtrauma)损伤模型制作
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细胞损伤仪(Cell Injury Controller II)采取电子式控制,适合脑源性细胞培养样品,或其它离体培养细胞的牵张性(strain-induced trauma)损伤模型制作。损伤后可进行神经生化、形态学、生理学,药物干预等方面的研究。
细胞损伤控制仪设计的组织培养系统。细胞损伤控制仪把压缩气体送到每个培养室,以造成培养组织牵张性的损伤,损伤的严重程度是通过控制进出密闭培养室的气体量来实现。培养室的峰值压力同时被记录下来,这个数值可以用来精确地表明引起牵张性细胞损伤的气压值。
细胞损伤控制仪(CIC II)可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I (针对VCU早期的细胞损伤控制仪)或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。
根据所采用的细胞种类、损伤的程度、培养的状况,受损后的细胞或许会因为上述因素死亡或修复,所以VCU的细胞损伤控制仪(CIC II)很适合应用在下列损伤反应研究:细胞受损、修护,死亡,药物介入。
主要技术参数:
采用电子式控制,适合脑源性细胞培养样品的制作
适合细胞受损、修护,死亡,药物介入等方面研究
使用Flexcell Int’l corp组织培养系统
带独立的细胞培养室,通过控制输入的气体量实现细胞损伤
膜伸展程度:120%-155%
膜变形范围:5.5mm-7.5mm
伤等效峰值压力范围:8.2-11.5PSI
培养室的峰值压力可被实时被记录下来
可以搭配Flex I® 29.45cm2 culturing trays I或BioFlex® 57.75cm2 culturing trays。
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